標識：二硫化鉬

    半導體器件短板有望提升!中國臺灣國家科技部前不久公布，中國臺灣、日本國、沙烏地阿拉伯等精英團隊，已科學研究出單面二硫化鉬P-N接面，有望替代硅芯片變成新世代半導體材料關鍵元器件，廣泛運用在智能穿戴設備及手機上中。

    它是全世界第1個發布新世代半導體器件基本科研成果，不僅將發表在最新消息一期國際期刊《SCIENCE》中，上海交大科學研究精英團隊表露，此項結果有望吸引住臺積電更轉變態度科學研究，以盡早占領全世界銷售市場創業商機。

    在國家科技部全力支持“頂尖晶體材料開發設計及制做方案”高新科技費用預算下，半導體器件短板擁有重大進展。中國臺灣科學研究精英團隊方案節目主持人上海交大電子器件物理系專家教授張文豪強調，intel及三星均積極主動資金投入單面元器件原材料科學研究，臺積電也積極主動與學術界洽談協作，將來誰可以搶鮮開發設計單面元器件原材料，就能在全世界銷售市場占據一席之地。

    張文豪說，單面二硫化鉬是全世界生物學家覺得新世代半導體材料頗有發展潛力的原材料，此次科學研究精英團隊發展趨勢出單面二硫化鉬及單面二硒化鎢的極致P-N接面，有望處理半導體材料元器件制取至關重要的問題。

    張文豪說，將來可廣泛運用于極其細微化的電子元器件，特別是在單面二硫化鉬具備極輕薄透明特點，有發展潛力運用在將來低消耗能柔性電子器件與配戴式電子元器件，或手機應用程序中。

    張文豪說，臺灣籍生物學家李連忠以往為中研院研究者，被沙國國王科技大學延攬變成沙國生物學家，他籌組中國臺灣、沙國、日本國等海外協作精英團隊開展大中型協作方案。中國臺灣科學研究精英團隊除張文豪外，也有上海交大原材料系專家教授韋西安、中研院應科管理中心研究者朱治偉等。

    中國臺灣國家科技部強調，二硫化鉬是繼石墨稀后，深受國際性生物學家關心糜棱巖原材料，單面二硫化鉬具備優良發亮高效率，極好電子器件遷移率(可危機處理)與高電源開關比(電晶體較平穩)，可用以將來新式低消耗能邏輯電路，很有可能替代現階段硅晶做個世世代代關鍵關鍵元器件。

    中國臺灣國家科技部強調，國際性半導體材料大型廠如Intel、臺積電及三星等，最少元器件技術性約落在7～10納米技術間，而此項科研成果為二硫化鉬及有關無機物二維材料電磁學科學研究及運用，將有助二硫化鉬等原材料運用在2納米技術半導體材料生產工藝中。

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